Effet Hall

Principe

Un barreau de semi-conducteur soumis à un champ magnétique uniforme \(B\) et traversé par un courant \(I\), est le siège d’une force électromotrice \(U_H\) sur 2 de ses faces.


La tension de Hall \(U_H\) est définie par la relation :

\(\bbox[10px,border:2px solid black]{\Large{U_H=R_H\frac{I\times B}{e}}}\)

avec :

  • \(R_H\) : constante de Hall (dépend du semi-conducteur)
  • \(I\) : intensité de la source de courant \(\color{green}{[A]}\)
  • \(B\) : intensité du champ magnétique \(\color{green}{[T]}\) (tesla)
  • \(e\) : épaisseur du barreau de silicium \(\color{green}{[m]}\)

Applications

Mesure de l’intensité d’un champ magnétique

Si on maintient le courant \(I\) constant, on a donc une tension \(U_H\) proportionnelle au champ magnétique \(B\) :

\(U_H=k\times B\)

avec \(k\) constante égale à : \(k=\frac{R_H I}{e}\)

Mesure d’un courant électrique

 

 

 

sources : https://fr.wikipedia.org/wiki/Effet_Hall

https://fr.wikipedia.org/wiki/Capteur_de_courant_à_effet_Hall

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